Проблемы с микроэл -светодиодным дисплеем

01. Что такое микроэл -светодиод?

Технология Micro-Led Display-это технология самостоятельной дисплея, посредством массива микронного светодиодного светодиодного светодиодного светодиодного светодиодного светодиода (µled), интегрированных на субстрат активного адресации драйвера, для достижения индивидуального управления и освещения, чтобы вывести изображения отображения. Micro-LED display has many advantages, such as self-lighting, high resolution, low response time, high integration, high reliability, and small size, high flexibility, easy to disassemble and merge, can be applied to any display application from small size to large size, and in many application scenarios, Micro-LED displays provide better display effects than liquid crystal displays (LCD) and organic light-emitting diode (OLED) displays.

02. Технологические проблемы

Несмотря на быстрое разработку технологии микромолетового дисплея, преобразование светодиодов из приложения для освещения для отображения приложения выдвигает более высокие требования и проблемы для расширения светодиодов.

(1) Выбор материалов субстрата

Выбор материала субстрата и эпитаксиальной технологии оказывает решающее влияние на производительность микромолевых устройств. Поскольку микромотовые чипы меньше традиционных чипов до 50 мкм, его высокие требования к выходу и однородности для выбора субстрата и эпитаксиальной технологии выдвигают более высокие требования и проблемы. При применении к дисплею с высоким разрешением плотность тока впрыска микромонтажа очень низкая, а нерадиативная рекомбинация, вызванная дефектами Следовательно, эпитаксиальные листы с более низкой плотностью дефекта необходимы для микро-зала.

В настоящее время субстраты, которые могут быть коммерциализированы в больших масштабах, включают сапфир, SIC и SI и т. Д., Но эти субстраты как эпитаксиальные GAN являются гетерогенными эпитаксиальными. Из -за несоответствия решетки и термического несоответствия между гетерогенным субстратом и эпитаксиальным слоем GAN, эпитаксиальный слой имеет высокую плотность дислокации. По сравнению с Sapphire, SIC, SI и другими гетерогенными субстратами материал GAN в качестве субстрата может значительно улучшить качество кристаллов эпитаксиального листа, уменьшить плотность дислокации и улучшить трудовой срок, сияющую эффективность и плотность рабочего тока устройства. Тем не менее, подготовка монокристаллических субстратов GAN очень сложна, а субстраты GAN очень дороги и имеют максимальный размер всего 4 дюйма (10,16 см), поэтому трудно удовлетворить потребности коммерциализации.

(2) Управление однородности длины волны

Технология микромолетового дисплея - это технология самостоятельного освещения. При применении дисплея высокого разрешения разность цвета, вызванная неравномерной длиной волны излучения микро-воздействия, значительно повлияет на эффект дисплея. Чтобы обеспечить эффект отображения, стандартное отклонение вариации длины волны микро-возглавляемой эпитаксиальной пластины следует контролировать при 0,8 нм или меньше. Следовательно, в процессе выращивания эпитаксиального скважина Ингана/Ган к квантовой скважине с помощью металлоорганического химического отложения паров (MOCVD) контроль воздушного потока и равномерности температуры особенно важен.

Оптимизация однородности воздушного потока во время эпитаксиального роста MOCVD играет важную роль в улучшении однородности длины волны. В настоящее время, Prismo Unimax, новейшее внутреннее устройство MoCVD, обеспечивает баланс всего поля температуры во время эпитаксиального роста путем принятия технологии контроля температуры зоны. Между тем, серия технологий управления деформацией, таких как однородность источника MO и воздушный поток, используются для улучшения однородности длины волны светодиодного эпитаксиального листа для удовлетворения потребности в микромолевом дисплее. Ввиду высокой потребности в однородности длины волны для микромотовых приложений, конструкция графитового лотка может быть оптимизирована, чтобы сделать его с определенной кривизны, чтобы лучше соответствовать варпаге эпитаксиального листа в процессе эпитаксиального роста, что еще больше улучшило контроль температуры.