Micro LED Breakthrough, Lattice Power lance le substrat de silicium Ingan Triple Color Epitaxy

Récemment, Lattice Power a publié les résultats des séries rouges, vertes et bleues basées sur Ingan de trois couleurs primaires micro-LED Technology Epitaxial sur un substrat de silicium de 12 pouces.

Affichage de puissance en treillis de substrat de silicium de 12 pouces en silicium rouge, vert et bleu Light Ingan LED épitaxial chèque rapide El Ellumination Effet

Il est rapporté que Lattice Power a été fondé en 2006 et est un fournisseur de produits optoélectronique à la chaîne de chaîne industrielle complète avec une technologie de base de puce sous-jacente. Il fournit des produits d'éclairage LED (épitaxial, puce, emballage et module) de haute qualité (Emballage et module) et des solutions de capteurs de détection aux clients mondiaux.

Sur la base de près de 20 ans de technologie LED basée sur le substrat de silicium GAN et d'accumulation industrielle, l'optoélectronique de Crystal Energy a lancé la technologie épitaxiale de la lumière rouge ingan de 8 pouces dès 2020. Actuellement, il recherche et se développe toujours en permanence pour améliorer l'efficacité des feux rouges d'Ingan.

En septembre 2021, l'optoélectronique à énergie cristalline a préparé avec succès un substrat de silicium ingan rouge, vert et micro-LED bleu avec un espacement de pixels de 25 microns et une densité de pixels de 1000ppi. À l'heure actuelle, l'indicateur technique important de l'espacement des pixels a été réduit à 8 micromètres.

En 2022, l'optoélectronique à l'énergie cristalline a éclaté la technologie clé de l'épitaxie à micro-LED à tricolore basée à Ingan sur des substrats de silicium de 8 pouces et a préparé avec succès les tableaux de tricolore à pitch à 5 microns, se développant activement dans les marchés émergents.

Lattice Power a déclaré que, tiré par le coût et le rendement, la mise à niveau vers des plaquettes de grande taille est devenue une tendance de développement définie dans l'industrialisation de Micro LED, qui est également conforme à la poursuite continue de l'innovation de l'entreprise dans le domaine de la technologie LED basée sur GAN sur les substrats en silicium. Les WAVERS de grande taille peuvent non seulement améliorer considérablement le taux d'utilisation des tranches épitaxiales micro-LED et des plans de cmos, mais également faciliter la compatibilité avec les dispositifs et les processus de silicium ic matures, améliorer l'efficacité du processus de micro LED, réduire les coûts et accélérer le processus commercial de la technologie Micro LED.

Selon le Dr Fu Yi, vice-président de la puissance du réseau, la croissance épitaxiale du micro LED sur des substrats de silicium de grande taille pose des défis plus stricts au développement de technologies clés telles que la qualité des cristaux GaN, la déformation épitaxiale, l'efficacité quantique externe, la cohérence photoélectrique et le MQW rouge ingan.

La libération de l'industrialisation et de la technologie épitaxiale des micro LED rouge, verte et bleue à base d'Ingan sur un substrat de silicium de 12 pouces indique que Jingneng Optoelectronics a profité de ses capacités innovantes et itératives dans les principales techniques du substrat de silicium, de la manière d'optimisation et de l'amélioration de l'optimisation et de l'amélioration des techniques de procédures et des procédés, de la manière de l'optimisation et de l'amélioration de l'amélioration des suites.

Lattice Power a en outre déclaré que le lancement d'Apple de Vision Pro cette année a apporté une plus grande popularité à l'industrie mondiale AR / VR, mais Vision Pro ne sera pas le point final. Les attentes des gens en ce qui concerne la technologie d'affichage portable légère et efficace devient de plus en plus enthousiaste, ce qui favorisera considérablement l'innovation et l'application de diverses technologies de micro-affichage.

La voie du processus micro LED basée sur des substrats de silicium de grande taille a un grand potentiel en termes de coût, de rendement et d'efficacité de la lumière, et devrait devenir la voie d'industrialisation traditionnelle pour les micro-LED au niveau micrométrique. La percée dans les trois couleurs primaires micro-LED La technologie épitaxiale de substrats de silicium de 12 pouces favorisera efficacement le développement de la technologie d'affichage micro-LED dans cette direction.